Индустрия за производство на силициев карбид

В сравнение сна силициева основаполупроводникови материали, третото поколение полупроводникови материали, представени от силициевия карбид (SiC), имат много предимства, като силно пробивно електрическо поле, висока скорост на дрейф на наситени електрони и висока топлопроводимост.

Захранващите устройства от силициев карбид се използват главно в области с висока мощност, като нови енергийни превозни средства, фотоволтаично съхранение на енергия, железопътен транзит и други области, особено в областта на превозните средства. През следващите няколко години приложения като вградени главни инвертори и модули за зареждане ще продължат да се развиват с висока скорост.

Понастоящем местните предприятия са ускорили навлизането си във веригата на индустрията за силициев карбид и капиталовите разходи са се ускорили, което води до бърз растеж на всички звена от веригата на индустрията.

Според доклада на Yole размерът на пазара на захранващи устройства със силициев карбид ще надхвърли 6 милиарда долара през 2027 г., с общ годишен темп на растеж от над 30%.

Мощност, базирана на силициев карбидВеригата на индустрията за устройства включва главно подготовка на субстрата от силициев карбид нагоре по веригата, растеж на епитаксиален слой, производство на междинни устройства и пазари на приложения надолу по веригата.

Процесът на подготовка на субстрата е основно за синтезиране на въглероден прах с висока чистота и силициев прах с висока чистота в прах от силициев карбид. При специално температурно поле методът за физически пренос на пари (PVT метод) се използва главно за отглеждане на кристален слитък от силициев карбид с различни размери, а субстратът от силициев карбид се произвежда след множество процеси.

Епитаксиалната връзка е главно върху субстрата от силициев карбид, а епитаксиалният лист се формира върху повърхността на субстрата чрез метод на химическо отлагане на пари (CVD).

Сред тях епитаксиалният лист от силициев карбид се приготвя чрез отглеждане на епитаксиален слой от силициев карбид върху проводящ субстрат от силициев карбид, който може допълнително да бъде направен в захранващи устройства и приложен в нови енергийни превозни средства, фотоволтаици, железопътен транспорт, интелигентна мрежа, космическото пространство и други области. Епитаксиалният лист от галиев нитрид (GaN-on-SiC) на базата на силиций се приготвя чрез отглеждане на епитаксиален слой от галиев нитрид върху полуизолиран субстрат от силициев карбид, който може да бъде допълнително подготвен в микровълнови RF устройства и приложен в 5G комуникационни полета.

От структурата на производствените разходи на устройствата от силициев карбид, цената на субстрата е най-голямата, представляваща 47%; Вторият е разширената цена, която представлява 23%. Тези два процеса са важни компоненти на SiC устройствата.

Популярни тагове: промишленост за производство на силициев карбид, Китай производители, доставчици на промишленост за производство на силициев карбид, Огнеупорен калай оксид, леене на огнеупорни, Огнеупорни за въртящи се пещи, Огнеупорна за циментовата индустрия, Огнеупорни за ролкови огнища, Огнеупорно влакно